【TurboWrite：写入性能猛增的奥妙】
这个我们已经在原理上解释过了，简单说就是将部分TLC三合一作为SLC使用来充当缓冲区，不再赘述，这里重点回答之前留下的疑问：如果写入量超过了缓冲区的容量，性能会如何变化？
用户在向硬盘写入数据的时候，实际是先行放到缓冲区里。一旦用户动作停止，缓冲区里的数据就会转入硬盘本身，这当然需要一点时间，但因为都是持续写入了，所以会很快，一般也就15-30秒钟。
事实上，即便是TurboWrite还没有完全完成转移的时候，你仍然可以继续新的写入。
理论和实际测试都表明，该技术的确能大大加快写入速度，在小容量型号上尤其明显，因为此时需要访问的闪存空间更小。
当然你应该能猜到，一旦缓冲区写满，而你还在继续写入数据，它就回归到TLC的水平上了。
120GB型号在加速状态下持续写入能达到400MB/s，然后就会迅速跌落到120MB/s。其它型号最高能超过500MB/s，但是缓冲区耗尽后也会出现不同程度的下跌，总容量越大损失就越少，750GB/1TB依然能超过400MB/s。
挺好的一个东西，尤其是对小容量硬盘来说。三星干得漂亮。
