凭借雄厚的工厂资源，三星第一个将TLC闪存投入了实用，并连续推出了840、840 EVO两代产品，都是物美价廉的代表。现在，第三代的“850 EVO”来了，而且第一次应用了3D V-NAND堆叠的TLC。
这种闪存规格从一诞生就争议不断，相比于单位的SLC、双位的MLC，三位的它成本更低，但是相对寿命短很多，性能也差一些。
虽说无论从理论还是实际上看，TLC应付日常应用都绰绰有余，但是用户对它的长期可靠性一直都没有放下心来。
特别是这段时间，iPhone 6部分也用了TLC闪存，结果出现了一些毛病，更是质疑声群起。在此之前，840 EVO、840先后出现了老数据读取掉速的问题，虽然三星极力否认和TLC有关，但实在没法让人信服。
另一方面，三星也是第一个玩起3D堆叠闪存技术的，都发展到了第二代。
850 EVO也是3D、TLC两种技术第一次结合在一起，堆了多达32层，能开出什么花呢？日本网站4Gamer抢先公布了对它的实际评测。
【850 EVO规格解析】
850 EVO仍是传统的SATA 6Gbps 2.5寸盘规格，6.8毫米超薄，容量分为120GB、250GB、500GB、1TB，搭配缓存256MB-1GB，安全技术支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0，平均故障间隔时间150万小时，终生数据写入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。
不过闪存颗粒的具体工艺暂时不详。
性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写则是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盘顶天也就是这样了，但是对于TLC来说已经很高很高，基本可以媲美MLC。
值得一提的是主控，120-500GB用的是最新一代MGX，据称优化了性能，特别是低容量下的随机性能。1TB的则是和上代相同的MEX，后者的功耗也略高一些。
从三星给出的数据看，同容量的850 EVO随机写入性能的确比840 EVO高很多，即便是同样主控的1TB版也更快了，队列深度1的时候都能加速21％，队列深度32的时候120GB版可以加速1.5倍！
840 EVO引入写入加速技术“TurboWrite”也延续了下来，它是通过将TLC模拟成高速的SLC来提升性能，现在号称更猛了，尤其是持续写入可以加快7-19％。
RAPID技术同样还在，简单地说是借助系统内存和CPU资源缓存频繁访问的数据报道。
另外，质保时间也从3年提高到了5年，相信可以让大家更放心一些了。
