GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管，而无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET，但这两者并不冲突，事实上完全可以共存，具体如何选择就看厂商的实力和服务的领域。
另外，SOI技术一直都是IBM的骄傲，时至今日依然有很大的潜力可挖，更何况GF刚刚获得了IBM的整个芯片设计和制造业务，还白赚了15亿美元，实力大增。
GF 22nm FD-SOI工艺虽然无法制造高性能芯片，但也很适合移动计算、IoT物联网、射频联网、网络基础架构等领域。
GlobalFoundries宣称，该工艺功耗比28nm HKMG降低了70％，芯片面积比28nm Bulk缩小了20％，光刻层比FinFET工艺减少接近50％，芯片成本比16/14nm低了20％，而且功耗超低，电压可以做到业界最低的0.4V，并可通过软件控制晶体管电压，还集成了RF射频，功耗降低最多50％。
甚至，它可以提供类似FinFET工艺的性能。
GF 22nm FD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产，为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持，将会采纳。
