作为全球最大的代工厂,台积电这几年并不是很顺利,但每每展望未来总是一片光明:2016年第四季度量产10nm,2018投产7nm……
那么再往后呢?就是5nm了。嗯,没错,越往后进步幅度就会越小,5nm之后还能不能继续前进都是个大问题了。
为了解决工艺提升中的各种复杂挑战,半导体行业早就想出了各种各样的高招,但因为成本太过于高昂,技术太过于复杂,一直都很难投入实用,比如说极紫外光刻(EUV)。
根据规划, 台积电的10nm、7nm都会用上EUV极紫外技术,更遥远的5nm也会如此,而且还会加入新的多重电子束技术(multipe e-beam)。
不过,5nm还属于长期规划,需要解决的问题太多太多,何时投产尚无明确时间表,台积电只是说会在2014-2019年间不断研究5nm。
业内人士预计,10nm之后的工艺至少5年以后才能实现,照这么预计及时7nm也得等到2020年,而按照台积电这几年的拖沓表现,还真不好说。
Intel也在一直研究极紫外光刻和450毫米大晶圆,但多次推迟了投产进度。450毫米晶圆已经在试产,应该会在10nm上使用。极紫外说不定得等7nm。