台积电展示7nm:三星、Intel抱头痛哭
  • 万南
  • 2015年12月04日 18:15
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上月中旬,韩媒报道三星已经开发出了全球首个基于10nm FinFET工艺的SRAM,迈出了工艺走向成熟的最关键一步。

所谓SRAM即静态随机存取存储器,比我们常见的DRAM(动态随机存取存储器)更快,常用于CPU缓存等,也是研发测试新工艺的必经前提步骤。

三星正意气风发的时候,劲敌台积电昨日前来泼冷水。

据报道,在昨天台积电举办的第十五届供应链管理论坛上,台积电总经理兼联合CEO刘德音表示,他们早已制造出7纳米的SRAM,并确认10纳米将在2016年初试产,7纳米则预期在2017年Q1开试。

这样一来,我们再梳理一下半导体前三大巨头的10nm制程量产的最新动向——

Intel:2017年下半年

三星;2016年底、2017年初

台积电:2016年底、2017年初

报道称,台积电非常高兴,因为终于超过英特尔了。他们还趁热预告,5nm也该提上日程了。

不过分析师称,10nm制程的最大关键是极紫外光(Extreme Ultraviolet,EUV)微影曝光替代了之前的纯硅,该设备主要掌握在荷兰阿斯麦(ASML)手中。

台积电展示7nm:三星、Intel抱头痛哭

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