中芯国际投产40nm ReRAM:比RAM内存快千倍!
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  • 2017年02月11日 20:09
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Intel Optane(闪腾)存储产品终于开始出货了,而中芯国际与Crossbar合作研发的ReRAM(非易失性阻变式存储器)也传来好消息,已经在中芯国际正式投入生产!

Crossbar公司成立于2010年,拿到了包括中国北极光创投在内提供的8000万美元风投,2016年3月宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场,中芯国际将采用自家的40nm CMOS工艺试产ReRAM芯片。

中芯国际投产40nm ReRAM:比RAM内存快千倍!

ReRAM代表电阻式RAM,是将DRAM的读写速度与NAND的非易失性集于一身的新一代存储技术,关闭电源后仍能保存数据。如果ReRAM有足够大的空间,一台配备ReRAM的计算机将几乎不再需要载入时间。

ReRAM的名字中虽然带有RAM,但机制和用途其实更像NAND闪存,主要用作数据存储。

ReRAM的性能十分彪悍,号称存储密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,200平方毫米左右的单芯片即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

与传统的NAND闪存相比,ReRAM速度快的多,位元可修改,并且所需电压更低,这都使得它可以被应用于嵌入式和SSD设备之中。

而且不同于NAND闪存对于更新工艺的不适应,ReRAM的扩展性更好,远景可以做到5nm。

另外,更先进的28nm ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

中芯国际投产40nm ReRAM:比RAM内存快千倍!

中芯国际投产40nm ReRAM:比RAM内存快千倍!
Crossbar ReRAM I/V曲线(1T1R和1TnR)

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ReRAM应用前景

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