三星:10nm良率很高 8/6nm也来了
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  • 2017年03月17日 00:23
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三星半导体业务这几年的进步有目共睹,新工艺进展神速而且表现优秀,Exynos系列处理器也是大杀四方。

三星电子今天宣布,10nm FinFET工艺自从2016年10月底率先投产以来,按照预期取得了稳定的高良品率,满足了客户需求——这显然是在驳斥业内有关10nm良率不佳的传闻。

三星透露,迄今为止,已经出货了超过7万块采用第一代10nm LPE(Low Power Earlr)工艺制造的晶圆。

三星自家的Exynos 8895,以及高通的骁龙835,都采用这种工艺制造。

另外,三星还宣布增加8nm、6nm工艺,它们分别是10nm、7nm的改进版,官方宣称“可比现有工艺提供更好的灵活性、性能、功耗优势”,满足不同客户需求,带来更强的成本竞争优势。

三星将在5月24日举办美国三星代工论坛,披露8nm、6nm的更多技术细节。

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三星:10nm良率很高 8/6nm稳步推进

 

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