Intel今天在中国举办“精尖制造日”活动，对这些年的制程创新、摩尔定律以及即将推出的10nm Cannon Lake芯片做了讲解。
其实，相关PPT早已在国外展示，这次主要是翻译给国内的客户、媒体、消费者查阅。
亮点是特尔公司执行副总裁兼制造、运营与销售集团总裁Stacy Smith，全球首次展示了10nm晶圆，它打造的就是Cannon Lake芯片。
Intel表示，这一代10nm FinFET拥有世界上最密集的晶体管和最小的金属间距，实现了业内最高的晶体管密度（每平方毫米晶体管数量超过1亿个），领先其他10nm整整一代。
按计划，10nm Cannon Lake定于今年Q4率先登陆移动阵营，可能是Core m或者U系列低压产品，不过，它们仍旧隶属于8代酷睿。
其实，Intel对于制程的命名是业界最保守也是最权威的，不过三星、台积电等并不买账或者说不老实，随随便便就自诩10nm/14nm，这也让Intel很不满。
在会上，Intel再次翻出PPT称，从90nm开始到14nm，他们基本保持对行业的3年领先，换言之，Intel的14nm就是现在三星的10nm。
