美光宣布单颗36GB HBM3E内存:惊人带宽1.2TB/s
  • 上方文Q
  • 2024年09月10日 17:35
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快科技9月10日消息,美光官方宣布,已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存,单颗容量达36GB,比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。

它将用于顶尖的AI、HPC计算产品,比如NVIDIA H200、B200等加速卡,单卡就能轻松运行700亿参数的Llama2等大模型,不再需要频繁调用CPU,从而减少延迟、提高数据处理效率。

美光12-Hi 36GB HBM3E内存还有着9.2Gbps的超高速率,单颗就能提供超过1.2TB/s的惊人带宽,而且功耗比8-Hi版本更低。

台积电CoWoS封装技术制造,也就是NVIDIA H100、H200等普遍使用的技术,彼此可以轻松搭配。

支持完全可编程的MBIST(内存内置自测试),可以模拟全速下的系统负载,方便快速完成测试验证,加快上市。

美光表示,12-Hi HBM3E已经提供给关键伙伴进行验证。

美光宣布单颗36GB HBM3E内存:惊人带宽1.2TB/s

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