这是一项领先业界的重要科研成果
-- 这种业内首创的晶体管是开发高性能、多功能、低功率的新一代芯片所不能缺少的组件 --
2003 年 4 月 9 日 -- 中国 -- AMD (NYSE:AMD) 的研发人员成功开发一种新一代的晶体管。这是半导体业一项具有开创性的重要研究成果，显示在新一代晶体管技术开发过程已经跨越了一个关键的里程碑。
AMD 的研发人员在实验室内成功开发一种高性能的晶体管，其性能比目前公认的高性能 P 通道金属氧化半导体 (PMOS) 高 30%，AMD 计划在今年 6 月全面公布这项研究的实验结果。这种晶体管采用 AMD 专有的技术，其中包括一般称为单元全耗尽的绝缘硅 (SOI)。
在另一相关的研究中，AMD 的研发人员利用金属门成功开发一种受压 (strained) 硅片晶体管，其性能比传统的受压硅片晶体管高 20 至 25%，为业界创下新的晶体管性能标准。
这些成果是AMD积极的工艺技术发展蓝图的重要里程碑，使公司有能力设计新一代的微处理器，以能够满足客户最严格的要求。
AMD 工艺技术开发副总裁 Craig Sander 表示：“AMD 一直走在新科技的前沿，并致力开发低漏电、低电压的高性能晶体管，为我们的设计工程师提供一切必要的元件，让他们可以设计切合客户需要的解决方案。”
AMD 计算产品部副总裁兼首席技术官 Fred Weber 表示：“要有合适的工具及材料才会有好的设计。由于 AMD 一直致力研发这类先进的技术，因此终于成功开发各种先进功能及匠心独运的结构设计，满足客户的需求。”
预计在2005年到2010年，这方面的最新研发成果将会在整个半导体生产流程之中扮演一个极为重要的角色。AMD 将出席今年 6 月 11 日至 12 日在日本京都举行的超大规模集成电路研讨会 (VLSI Symposium)，并计划在会上首次公开发表这两项研究的结果。如欲查询进一步的资料，可浏览 VLSI 研讨会的网页，网址为http://www.vlsisymposium.org。
