快科技2月5日消息，3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠，由此可以大幅增加存储密度与容量，降低成本。
最近，来自Lam Research、科罗拉多大学博尔德分校、美国能源部普林斯顿等离子体物理实验室(PPPL)的众多科学家联合设计了一种新的蚀刻工艺。
该方法使用氟化氢等离子体，将硅材料垂直通道的蚀刻效率提高了一倍，只需1分钟即可蚀刻640纳米。
其中的关键是在氧化硅和氮化硅交替层上刻孔，并将分层材料暴露在等离子体形式的化学物质中，让等离子体中的原子与分层材料中的原子相互作用，从而蚀刻出孔洞通道。
研究还发现，结合三氟化磷等特定化学材料，可以进一步改进蚀刻工艺。
另外，一些副产品会影响蚀刻效率，但是只需加入水，就能解决这一问题，比如水能让盐在低温下分解，从而加速蚀刻。
