人民财讯记者获悉,杭州富加镓业在第四代半导体氧化镓制备技术取得重要技术突破。
杭州富加镓业在氧化镓MOCVD同质外延薄膜研发方面取得重要技术突破,在富加镓业的氧化镓单晶衬底上同质外延出厚度超过10微米的薄膜,经国家权威检测机构验证,该技术已达到国际领先水平,相关标准化产品将于2025年4月上市。
人民财讯记者获悉,杭州富加镓业在第四代半导体氧化镓制备技术取得重要技术突破。
杭州富加镓业在氧化镓MOCVD同质外延薄膜研发方面取得重要技术突破,在富加镓业的氧化镓单晶衬底上同质外延出厚度超过10微米的薄膜,经国家权威检测机构验证,该技术已达到国际领先水平,相关标准化产品将于2025年4月上市。