快科技8月11日消息，逻辑芯片在进入5nm节点之后全面使用了EUV工艺，存储芯片使用DUV工艺为主，这四五年才刚开始尝试EUV工艺，现在SK海力士公司更为激进，新一代DDR5将使用5层及以上EUV光刻。
大家都知道，相比于DUV光刻，EUV光刻的13.5nm波长更短，光刻精度更高，有助于提高密度，减少工艺复杂性，以往需要多次光刻的步骤在EUV上可能一次就够了，这对DRAM内存芯片来说也是适用的。
三星早在2020年就率先宣布在内存芯片中使用EUV光刻，美光随后也跟上了，SK海力士晚了一年在2021年才宣布在第四代10nm级工艺上使用EUV光刻，不过之前DRAM芯片往往只使用了1层EUV光刻。
现在SK海力士要加码EUV，第六代10nm级DDR5芯片（1c DRAM）将全面改进光刻工艺，EUV光刻层数将提升到5层以上，并且在未来的1d、0a级别内存上全面使用EUV光刻。
不过首发的产品规格并不高，DDR5内存的颗粒还是16Gb的，并没有太过追求容量提升，还是主流水平。
除了DDR5内存芯片，HBM家族的芯片未来也会大量使用EUV光刻工艺，SK海力士希望用技术优势让对手追无可追，希望甩开三星的意图很明显。
不仅如此，SK海力士还在下一代的EUV光刻机——High NA EUV上押注颇多，后者的NA数值孔径从当前EUV的0.33提升到0.55，精度更高，不过光刻机的价格也贵了很多，从1.5-2亿美元暴涨到4亿美元甚至更高。
SK海力士计划从2026年开始使用High NA EUV光刻机生产内存芯片。
