三星NAND闪存新突破!功耗狂降达 96%
  • 秋白
  • 2025年11月27日 17:13
  • 0

快科技11月27日消息,据媒体报道,当地时间27日,三星电子旗下SAIT(原三星先进技术研究院)宣布,已在《自然》上发表一项关于新型NAND Flash结构的研究成果。

据这篇名为《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》的论文介绍,该研究通过创新融合铁电材料与氧化物半导体,全球首次明确了可将NAND闪存功耗较现有技术降低 96% 的核心机制。

值得一提的是,这项新研究有望提升包括人工智能数据中心和移动设备在内的各个领域的能效。

据了解,NAND闪存是一种非易失性存储介质,即使断电亦可长期保存大量数据,其工作原理是通过向存储单元注入电子实现数据写入。

为提升存储密度,业界普遍采用堆叠更多存储层的方式构建芯片,但这同时也显著增加了数据读写过程中的能耗,尤其在大规模数据中心场景中,功耗问题已成为亟待解决的关键瓶颈。

而三星研究团队上述成果攻克了这一难题。

三星NAND 闪存新突破!功耗狂降达 96%

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0