台积电40nm工艺推迟至明年一季度 影响ATI
  • 上方文Q
  • 2008年07月07日 10:19
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在Intel、IBM和AMD纷纷投向45nm的时候,台积电决定直接跳到40nm来为客户提供代工服务,不过遗憾的是最终投产时间已经推迟到明年一季度,将对AMD-ATI的未来显卡规划产生不小影响。

台积电原计划在今年晚些时候上马40nm工艺生产线,但不久前推迟到明年1月份,现在又进一步延后到了2-3月份,好在看起来不会继续跳票了。

以往最先采用台积电新工艺的往往是半导体企业Altera,而这次他们也原计划在今年出货40nm芯片,但现在看来是不可能了。

接下来就是AMD的ATI显卡部门。ATI近年来一向对新工艺比较激进,其下一代主流桌面显卡RV870很可能就会升级到40nm工艺,果真如此的话无疑会是受影响最大的,甚至不排除RV870先期继续使用55nm、后期升级为40nm的可能。

至于NVIDIA,由于现在刚刚迈过55nm门槛,距离40nm还很遥远,再加上一贯对新工艺非常谨慎,因此不会受到任何影响。

据悉,台积电40nm工艺将有侧重功耗的40LP和侧重性能的40G两个方案,其中40LP工艺将主要用来生产无线通信芯片和移动芯片,40G工艺将主要来代工游戏机芯片、图形芯片和其它高性能芯片。

 

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