快科技4月23日消息，韩国首尔中央地方法院近日就一起“半导体商业窃密案”作出一审判决。一名56岁的三星前工程师，因向中国某存储芯片企业泄露核心芯片制造技术，违反韩国《产业技术保护法》，被判处7年有期徒刑。
这是去年年底三星商业窃密系列案的首起有罪宣判。2025年年底，韩国检方曾对10名三星前员工提起公诉，指控他们向某存储芯片企业泄露关键芯片制造知识产权。
法院审理查明，该工程师窃取了超过600项DRAM制造的详细工艺步骤，核心为三星10nm级DRAM的全套研发与生产数据。
法院明确，涉案技术属于韩国“核心国家技术”，泄露行为给韩国带来了潜在万亿韩元级别的经济损失，也让对手存储芯片企业获得了技术先发优势，其10nm级HBM2内存产品的亮相时间远早于行业预期。
公开数据显示，三星为10nm级DRAM技术投入了约1.6万亿韩元（约合10.8亿美元）研发资金，整个研发周期长达五年。该工程师在研发周期内从三星离职，随后入职对手公司。他主要通过手写笔记的方式，向对方传递了芯片制造核心机密。
检方指控显示，全某通过此次技术泄露，累计获得29亿韩元（约合200万美元）的资金回报，同时还拿到了对手公司的股票期权及其他合同约定的激励权益。法院在最终量刑时，将该工程师案发时在三星的薪酬偏低情况，列为了减刑考量因素。
检方认为，三星被盗的知识产权，直接推动了对手公司的技术快速突破，其技术跃迁速度，在先进光刻机获取受限的背景下，远超行业常规发展节奏。
当前全球存储芯片市场格局正在发生变化。惠普、华硕、戴尔等头部终端厂商，正考虑向中国存储企业采购内存产品。核心原因是主流DRAM厂商均集中产能，优先生产AI加速器所需的HBM产品，通用内存出现了明显供应缺口。
