全球首个!三星成功研发900层超高堆叠3D NAND闪存原型
  • 建嘉
  • 2026年05月25日 17:45
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快科技5月25日消息,据当地媒体报道,三星电子近期利用单元多层键合(CMB)技术连接两片450层3D NAND,构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型,这一样品的存储单元工作特性已得到验证。

该技术核心是两片450层晶圆垂直整合,突破传统单次堆叠极限。

三星自研“上部卡盘”技术解决高层堆叠晶圆翘曲难题,新型套刻校正技术将键合对准误差控制在纳米级,保障良率。

同时优化位线(BL)与字线(WL)结构,在提升密度的同时降低芯片功耗与尺寸。

作为AI服务器、数据中心SSD及高端手机存储核心,3D NAND层数直接决定存储密度。

当前量产市场SK海力士以321层4D NAND领先,三星计划年内量产400层以上第十代V-NAND,此次900层原型将技术差距进一步拉大。

全球首个!三星成功研发900层超高堆叠3D NAND闪存原型

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