美光发布34nm 32GB e-MMC嵌入式闪存
  • 上方文Q
  • 2008年08月14日 16:08
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美光今天宣布推出新款e-MMC嵌入式闪存设备,容量达到了创纪录的32GB,并使用了最新的34nm MLC NAND生产技术

e-MMC嵌入式闪存主要面向汽车行业和工业领域,采用153针FBGA封装,封装尺寸仅14×18×1.4毫米,核心电压为3.3V。今天发布的最新款不但容量翻番,满足RoHS等无铅环保标准,而且可以在-40℃到85℃之间正常工作。

美光还特别简化了整体设计,去掉了主存储控制器,以一种简单通用的MMC界面来提供对NAND软件驱动和复杂NAND管理技术的支持,包括纠错码(ECC)、耗损均衡、坏块管理等。

美光表示将在本月底提供新款34nm 32GB e-MMC嵌入式闪存的样品,年底前投入量产。

美光发布34nm 32GB e-MMC嵌入式闪存

 

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