快科技8月19日消息，摩根士丹利近日发布大中华区半导体行业报告，为消费电子市场拉响了警报。报告预测，2026年第三季度DDR4内存价格将暴涨约50%，第四季度还将继续上涨10%。
与此同时，SLC NAND闪存的涨价预期更为激进，今年剩余两个季度每季涨幅均将超过50%，部分产品价格涨势可能延续至2027年第一季度。
这轮从DRAM到NAND的全面涨价，其重要驱动力在于HBM对产能的巨大消耗。HBM制造所消耗的硅晶圆数量约为传统DRAM的三倍，且需求仍在持续攀升。
瑞银预测，仅英伟达一家公司在2027年就将消耗约251亿Gb的HBM，占全球总产量约615亿Gb的四成。
晶圆厂正将产能从DDR4、SLC NAND等成熟产品加速转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存，导致成熟制程产品的供应急剧收缩。
存储厂商加速退出DDR4等成熟产能的同时，需求端并未同步萎缩。DDR4的需求正从单一的服务器市场拓宽至消费电子领域，供给收缩与需求扩散形成错配。
没有长协价格锁定，存储厂商可以完全享受现货价格上涨的红利。这种供需失衡推高了现货价格弹性，部分厂商的涨价收益甚至可能超过有长期协议的DDR5产品。
成熟内存涨势凶猛，DDR5价格同样未见松动。美国银行数据显示，DDR5-5600/6400 24GB现货价格8月环比再涨8%，同比涨幅已达483%。2025年年中，一颗24GB DDR5芯片价格约8美元（约合人民币54元），目前正逼近47美元（约合人民币317元）。
