快科技9月2日消息，瑞银（UBS）最新发布的研究报告指出，中国在EUV光刻技术上的成熟度仅相当于ASML在2004年的水平，落后至少22年。报告认为，中国在未来10年内都难以开发出能够真正替代ASML尖端EUV设备的方案。
瑞银分析师团队通过检视中国在光源、激光子系统等领域的专利申请活动得出了上述结论。ASML从2004年的技术阶段到开始大规模生产EUV设备，用了大约15年时间。瑞银据此推断，中国EUV设备在商业化可行性和良率产能上仍将长期落后。
不过，在技术要求相对较低的浸润式DUV光刻机领域，中国的追赶速度明显更快。瑞银预计，中国有望在2至5年内具备浸润式DUV光刻机的大规模量产能力。
浸润式DUV虽不及EUV先进，但仍是芯片制造不可或缺的核心设备，ASML每台浸润式DUV设备售价约9000万美元，而EUV设备单价超过2亿美元。
值得注意的是，有消息人士称，国产EUV光刻机可以在2028年实现先进芯片生产，但外部评估认为量产可能要到2030年左右。
荷兰政府自2024年9月起已将部分浸润式DUV设备纳入出口许可管理。然而，若中国在2至5年内实现DUV量产，荷兰目前最具实际影响力的出口管制工具可能逐渐失效。
ASML预计2026年中国市场营收占比将从2025年的33%降至约20%。全球唯一能生产EUV设备的ASML，正在面临一个现实困境：中国的追赶速度，可能比预想的更快。
