国产存储历史性一刻!长鑫LPDDR6全球首发上旗舰机:带宽暴涨60%,功耗还降20%
  • 青山
  • 2026年09月08日 12:30
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快科技9月8日消息,长鑫存储宣布,其自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用,并首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机,这是全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用,标志着国产存储在高端内存领域迈出关键一步。

规格方面,此次长鑫量产的LPDDR6单颗粒容量为16Gb,封装芯片容量达16GB,遵循JEDEC LPDDR6标准,采用1295 Ball FBGA全新封装。

该芯片最高传输速率可达12800Mbps,与SoC搭配速率为10667Mbps,可为旗舰SoC提供充裕的数据带宽。

相比速率同为10667Mbps的LPDDR5X,带宽提升60%,而功耗降低了20%,能够有效延长移动设备续航。

国产存储历史性一刻!长鑫LPDDR6全球首发上旗舰机:带宽暴涨60%,功耗还降20%

此次LPDDR6的研发及量产背后涉及多项创新。设计上,芯片采用双子通道架构,常规模式下配置24bit原生I/O,高速接口支持每路信号引脚独立调校预加重、信号均衡参数,配合智能训练机制,充分保障高速传输下的信号准确性与运行稳定性。

能效管理方面,LPDDR6采用双轨DVFS设计,提供硬件层面的电压分离能力,同时引入动态效率模式实现策略调度,支持芯片在不同负载下始终保持最佳能效比。

此外在原有Link ECC、On Die ECC基础上,新增每行激活计数防止行锤攻击,以及内建自测试等功能,以多重机制保障数据完整性与系统稳定性。

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工艺层面,长鑫通过工艺与设计协同创新,针对CMOS区域的关键电路和设计规则进行了超过100项深度优化,成功制造出尺寸更小、性能更优的CMOS晶体管,支撑了产品高带宽、低功耗的升级需求。

封装环节,1295 Ball FBGA封装的焊球面积较LPDDR5的496 Ball大50%,制造难度同步提升,长鑫还采用高导热型High K EMC塑封料对芯片整体包覆保护,使颗粒热阻下降约40%,大幅改善LPDDR6高负载运行时的热量导出效率,保障性能稳定发挥。

国产存储历史性一刻!长鑫LPDDR6全球首发上旗舰机:带宽暴涨60%,功耗还降20%

长鑫存储表示,当下高性能、低功耗内存需求持续增长,LPDDR6作为最新一代低功耗高速率产品,未来落地场景将涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备和机器人等领域。

此次成功推出LPDDR6,是公司在高端存储自主研发道路上的重要里程碑,该产品目前正加速商业化与规模化应用,公司将持续优化性能表现、丰富产品线组合,携手产业链伙伴推动LPDDR6在更广泛的智能场景中落地。

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