快科技9月8日消息，铠侠近日公开了其超高性能SSD的最新研发路线图。计划显示，铠侠将于2028年推出基于PCIe 7.0接口的下一代旗舰产品，其随机读写性能将达到惊人的1亿次IOPS。
这一目标的实现主要依托于铠侠自主研发的第三代XL-Flash闪存技术，通过该技术可实现与GPU的直接高速数据交换，定位上是对HBM显存的补充。
根据官方公布的技术细节，第三代XL-Flash的读取性能较第二代提升了整整3倍，写入性能则提升了150%。在能效比方面，读取和写入的能效分别提升了40%和80%。
为了压榨出极致性能，铠侠还对闪存的底层架构进行了深度优化。通过增加Die内部的水平平面数量，并缩短字线和位线的长度，新产品的读取延迟被成功压缩至5微秒以下。
除此之外，该产品在耐用性上也表现强悍，擦写寿命预计在15万至25万次循环之间。
目前的过渡产品GP1 SSD已能实现1030万次IOPS，采用的是PCIe 6.0接口和第二代XL-Flash，提供了800GB的SLC版本和1600GB的MLC版本，SLC即单层存储单元，具备极高的稳定性和寿命。
而按照近一年前公布的规划，1亿IOPS的目标原定于2027年达成，但铠侠最新表态显示时间点已推迟至2028年，这一节奏反而与PCIe 7.0接口的发展路线更为契合。
目前铠侠尚未披露第三代XL-Flash的具体堆叠层数和内部封装细节。
