据报道，AMD公司正在研究如何将一批尖端概念融合在一起，用于强化将于今后几年上市芯片的性能。这些技术包括应变硅晶（strained silicon）、多门晶体管、在关键性晶体管组件中用金属代替硅等。
AMD公司负责处理器技术的副总裁Craig Sander表示，改善微处理器基础结构的竞赛关系到公司的生存。芯片的体积正变得越来越小，速度则越来越快。
Sander表示，比如，作为晶体管重要组件的门氧化物(gate oxide)在当前生产的芯片上只有五六个原子层的厚度。没有创造性的变革，进一步变薄将会造成漏电，导致电池的寿命降低，耗电量过高，潜在导致计算机内部出现过热的危险。
现在，由研究人员提出的新概念将可能开始在商业芯片中出现，2007年将会有45纳米的工艺，2009年将会有32纳米的芯片。
AMD公司于本周在日本京都举行的超大规模集成(VLSI)技术座谈会上发表了两篇有关研究成果论文。VLSI技术座谈会是有关半导体技术方面的主要年度科学会议之一。
