AMD多种尖端概念浮出水面
  • EinG
  • 2003年06月17日 16:59
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据报道,AMD公司正在研究如何将一批尖端概念融合在一起,用于强化将于今后几年上市芯片的性能。这些技术包括应变硅晶(strained silicon)、多门晶体管、在关键性晶体管组件中用金属代替硅等。

AMD公司负责处理器技术的副总裁Craig Sander表示,改善微处理器基础结构的竞赛关系到公司的生存。芯片的体积正变得越来越小,速度则越来越快。

Sander表示,比如,作为晶体管重要组件的门氧化物(gate oxide)在当前生产的芯片上只有五六个原子层的厚度。没有创造性的变革,进一步变薄将会造成漏电,导致电池的寿命降低,耗电量过高,潜在导致计算机内部出现过热的危险。

现在,由研究人员提出的新概念将可能开始在商业芯片中出现,2007年将会有45纳米的工艺,2009年将会有32纳米的芯片。

AMD公司于本周在日本京都举行的超大规模集成(VLSI)技术座谈会上发表了两篇有关研究成果论文。VLSI技术座谈会是有关半导体技术方面的主要年度科学会议之一。

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