英特尔方面表示，英特尔将坚持研究、探路、开发、前期制造、批量制造一把抓的研发战略，这已经成为英特尔的核心竞争力。
近日，英特尔公司技术与制造事业部高级院士兼制程架构与集成部门总监马博（Mark Bohr）在接受CNET科技资讯网采访时指出，英特尔一直在制程方面追求创新，确保了摩尔定律在未来十年内得以延续。
马博详细阐述了英特尔在45纳米技术上面的创新，他指出，“在65纳米制程上，我们沿用了已经在业内用了30年的MOS晶体管设计的基本要素，我们用的硅基底，硅基底上面用的二氧化硅的介质，上面用的是多晶硅。你可以看到这样的技术架构不但是我们英特尔公司，还有行业的其他公司在应用，这个架构我们应用了30多年。”
图为英特尔公司技术与制造事业部高级院士兼制程架构与集成部门总监马博（Mark Bohr）在接受CNET科技资讯网采访。马博表示，“研发制造一体化战略是英特尔核心竞争力。”
马博介绍说，“原先的架构不但在水平层面上和垂直层面都是缩小的。你可以看到在这种垂直层面我们的尺寸在减少，就是二氧化硅的栅极，它的规模只有1.2纳米那样薄，这就是5个原子那样厚，做到这个程度没有办法再薄了，因为太薄就会漏电。如果我们不能想出一种新的发明，这样可以解决关于栅极的漏电问题，那么我们的摩尔定律就会终结。”
在45纳米制程中，英特尔使用了新的晶体管结构，这种晶体管结构使用的是绝缘的材料，不使用二氧化硅，而是使用高-K的栅介质，而且我们不再使用多晶硅，而是使用一些金属材料。“可以看到这种晶体管材料的变化，也就是我们过去40年来关于晶体管最大的变化了。”
使用了高-K栅介质+金属栅极晶体管后，芯片性能方面有了很大提升。相比过去，现在的漏电率降低了25倍以上；而且由于这个晶体管已经是45纳米的大小，比65纳米小很多，所以在切换的时候，切换功率有降低了很多。“所以，人们可以看到通过使用高K栅介质和金属栅极，我们可以实现了驱动电流，效率提高了30%，也可以说使性能提高了30%，或者漏电率降低了5倍以上。”
马博还揭秘了英特尔研发的流程，其中包括5个阶段：研究，就是发现新想法；探路，决定特性；开发，是一个完整的开发过程，把想法和特性，集成与实现；前期制造，产品推出，精确复制；批量制造，批量生产。
马博向CNET科技资讯网透露，早在2007年9月份，英特尔就展示了32纳米的SRAM测试芯片。
据介绍，这个SRAM芯片上单个CELL大小为0.171um2，总密度为291Mbit，每个芯片上有超过19亿个晶体管，它使用第二代高-K栅介质+金属栅极晶体管技术，193nm浸没式光刻技术。
马博透露，“32纳米SRAM测试芯片包括32纳米微处理器中所用到晶体管和互联特性，这些技术会在今后的32纳米处理器上应用。英特尔会按照之前的路线图，准时在2009年推出32纳米的处理器。”
日前，另一家处理器厂商AMD实施了轻资产计划，把芯片制造部门剥离出来。AMD方面表示，此举将帮助AMD轻装上阵，把精力集中在芯片研发上面。
对于竞争对手的这一举措，马博并没有给予评价，不过他表示，“英特尔能够取得如此的成就，能够每两年推出新的制成产品，其实得益于我们整个研发的过程。我们的研究团队在整个过程当中做的事情，首先他们面临非常多的技术可能和技术创新，在多样的技术创新不是所有的创新都会被接受，但是我们必须要做大量的评估，最后选拔出对未来有用的技术。”
马博强调说，“我们认为，英特尔作为一个整合设备制造商有这样一些优势，第一就是我们的设计为了制造，能够在设计过程当中考虑到制造。第二我们通过进行合作优化整个的制成技术和推出我们的产品。第三个我们的产品推出以后，我们可以很快的得到反馈，而且得到改进的过程。第四个就是我们可以很快的把产品推出来。”
马博说，“我们坚信自己的模式更好一些，因为这种模式有它的优势，可以有助于新技术的推出和开发。尤其现阶段技术达到非常复杂的程度，作为整合设备的制造商我们可以很好的应对新技术的需求。”
