今年12月14日,第54届IEEE电子设备年会将在旧金山召开。根据已经提交的论文简介,Intel将在此次会议上展示32nm工艺试制样品。
据称,Intel已经成功采用32nm制程造出了可实现所有功能的291Mbit SRAM,共包括20亿个晶体管,单个存储单元的面积仅为0.171平方微米,运行频率3.8GHz,电压1.1V。
据称,Intel将在32nm工艺投产时首次采用浸润式光刻设备,而这款仍使用193nm深紫外激光的光刻设备将由尼康制造。另外,Intel在32nm工艺上还会使用第二代High-K金属栅极、应变硅沟道以及9级Low-K介电质等新技术。