采用新封装的五十款器件比其他封装在电路板空间占用每单位内具有更佳热性能，
非常适宜便携与无线应用
安森美半导体（美国纳斯达克上市代号：ONNN）不断提升产品性能，在其品种全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封装。这五十款器件[包括瞬变电压抑制（TVS）元件与肖特基二极管]现已提供低厚度的扁平引脚封装。今年稍后，将有更多新型封装的器件面世。
安森美半导体副总裁兼标准元件部总经理Charlotte Diener说：“由于SOD-123FL优化电路板空间占用每单位内的功率耗散，该封装是便携与无线电路板设计所需之TVS元件与肖特基二极管的理想选择，此类设计必须符合电源管理和保护的严格要求。”
SOD-123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123（JEDEC DO219）封装器件，同时具有更出众的功率处理能力。比较而言，SOD-123FL封装的瓦特/ mm2 热性能比SOD-123提高达149%，比SMA提高达90.5%，比PowerMite提高达26.5%。SOD123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD123封装低25%或以上，非常适宜讲究电路板空间的便携应用。
SOD-123FL封装独有的引脚结构以及具有最佳功效的线夹设计，允许低正向电压。附带线夹的内部设计比引线粘结封装具有更优秀的浪涌电流能力，成为瞬态电压抑制应用的理想封装选择。安森美半导体已在新型封装内采用低泄漏电流硅技术，以更好地节省能量。
SOD123FL以环保、无铅的封装平台提供更佳性能。该封装采用100%锡（Sn）涂覆所有外表电镀面。其在260° C下回焊，达到1级潮湿敏感度等级（MSL），同时与现有回焊工艺逆向相容。
SOD123FL器件
安森美半导体已推出50款具实效的SOD123FL封装标准元件。目前可提供以下器件：
-SMF 5.0：5V至170V的200瓦TVS器件系列。
-MBR120VLSFT1：1安培、20伏肖特基功率整流二极管，-具极低正向电压，- 可延长便携应用的电池寿命。
-MBR120LSFT1：1安培、20伏肖特基功率整流二极管，-具低正向电压，-可延长可延长便携应用的电池寿命。
-MBR120ESFT1：1安培、20伏肖特基功率整流管，- 具低漏电。
-MBR140SFT1：1安培、40伏肖特基功率整流管，- 具优化的低正向电压和低泄漏。
