尔必达完成50nm 2Gb Mobile RAM开发
  • Skyangeles
  • 2008年12月12日 10:16
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上周末,海力士宣布推出全球首款2Gb容量Mobile RAM颗粒,采用了54nm工艺。日前,尔必达也宣布他们的2Gb Mobile RAM研发完成,并采用了50nm制程工艺制造。

超低功耗的Mobile RAM内存主要用在手机或掌上影音设备、移动互联网终端中。尔必达的50nm 2Gb Mobile RAM使用了193nm浸润式光刻与铜互连技术制造。相比70nm产品,它的数据保持电流和工作电流都是前代的一半,在容量翻倍的情况下并未提高电源需求。

尔必达的2Gb Mobile RAM支持MCP多芯片封装、PoP层叠封装等封装技术,使用32bit DDR技术,频率为200MHz,传输传输率达到1.6GB/s。除JEDEC标准的1.8V电压外,该颗粒还可支持1.2V的低电压工作。

尔必达表示,这颗50nm 2Gb Mobile RAM将于明年上半年开始量产。

尔必达完成50nm 2Gb Mobile RAM开发

 

 

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