Intel表示，他们将在2月9日在ISSCC会场举办主题演讲，由公司高级技术人员Mark Bohr探讨半导体行业的发展前景。Intel认为，未来的半导体行业是SoC的时代。即随着摩尔定律的发展，处理器晶体管数量和频率的竞赛即将走到尽头，Intel将集中注意力开发高能效，高移动性的微处理器产品，诸如Nehalem或Atom这样的高能效产品代表着未来的走向。将来的微处理器将集成更多功能模块，成为一个完整的集成系统，也就是现在定义的SoC片上系统。Intel将利用其处理器设计、制造经验及庞大产能，大力推广SoC产品。
移动设备方面，Intel将引入SIMD（单指令流多数据流）技术。在CPU或GPU中集成SIMD加速模块后，将大大提升移动设备的多媒体处理能力。Intel此次宣布的四路SIMD矢量加速单元工作电压仅300mV，能效达到494GOPS/W。
处理器方面，Intel将公布四篇有关企业级处理器的论文，分别讨论：
代号Nehalem-EX的8核心至强处理器，集成惊人的23亿个晶体管，8核16线程，9M（9金属层）45nm工艺制造，I/O带宽6.4GT/s。
代号Nehalem的45nm IA处理器，改进版Core微架构，最高8核心，45nm High-K工艺。
代号Tukwila，支持动态频率调节的四核Itanium安腾处理器，晶体管数量超过20亿，核心面积700平方毫米。
代号Dunnington的6核心至强处理器，晶体管数量19亿，采用9M 45nm CMOS工艺制造，集成9MB二级缓存，16MB三级缓存。8路系统的TPCC性能指标达到100万。
