用于取代Q6600地位的Q8000系列处理器采用45nm工艺
在用户看来，每两年一次的技术进步已经让人习以为常，但45nm工艺来的却不是这么简单。所谓工艺制程指的并不是许多用户理解的芯片上晶体管的大小，而是指芯片上晶体管和晶体管之间导线连线的宽度，简称线宽。由于线宽越小，晶体管开关的速度越快，这样采用新工艺的晶体管就可以工作在更高的频率，随之而来的就是芯片性能提升，所以线宽进步不仅代表了芯片生产工艺的水平，也代表了更好的产品性能。
传统晶体管构造采用的多晶硅栅极加二氧化硅栅极氧化物在工业进一步提升时会不可避免的产生漏电问题。
在Intel向45nm工艺迈进的过程中，将应用了30年的多晶硅栅极和二氧化硅栅极电介质更换为更加稳定的基于铪的高K值栅极氧化物和金属栅极，完美解决了工艺提升造成的漏电问题。另外，工艺制程的提升获得的不仅是频率的提升，对用户来说最直观的就是功耗和发热量的降低，从而超频性能也可以做到更好，这点在目前市场上众多45nm工艺的处理器上已经得到了验证。
Intel 45nm处理器工艺采用高-K栅极氧化物加金属栅极来解决漏电。
同时，Intel的45nm处理器还在一些细节部分进行了调整，比如加入了SSE4.1指令集，SSE4.1指令集改进了整数和浮点操作，包括图形/图像处理、视频处理、2D/3D创作、多媒体、游戏、内存敏感负载、高性能计算等应用都会受益。Intel SSE4.1指令集还进一步增强视频编码效果，令视频编码速度进一步提升，并对GPU从CPU中高速共享数据更加有利。 1年多来45nm处理器的优势已被演绎的淋漓尽致，尤其是在近期Intel Nehalem核心i7处理器和AMD PhenomII处理器推动下，处理器工艺制程开始全面向45nm更新，从而导致了产品的更新换代。
处理器背面对比，左侧为Q6600，右侧为Q8200
在今天参加测试的两款产品中，作为Intel 45nm 四核处理器中最低端产品，Q8200继承了Intel 45nm处理器的优良特质，尽管在缓存方面有一定缩水，但是在前端总线和每瓦性能上则有进一步提升。而Q6600则是Intel上一代65nm工艺制程下的巅峰之作，虽然面临退市，但基于高达8MB的二级缓存和优秀的架构，实力仍不容小觑，就微架构来看和Q8200基本相同，我们暂且不提，在下面就先来看一下处理器缓存的作用。
