美光34nm八芯片堆叠封装16GB闪存出样
  • Skyangeles
  • 2009年02月16日 15:50
  • 0

美光公司上周末宣布,推出业界存储密度最高的多芯片堆叠封装(MCP) NAND闪存产品,在一颗手机闪存芯片内堆叠封装8块芯片,总容量超过16GB。

该方案在一颗芯片中,封装了以下组件:

• e-MMC闪存系统,包括一个控制器和四颗32Gb 34nm MLC闪存颗粒,可以为手机提供高达16GB的大容量存储空间,省去外部存储卡插槽。

• 2Gb低功率DDR DRAM,工作电压1.8V,为手机提供256MB内存空间。

• 2Gb高速SLC NAND闪存颗粒,256MB空间用来存储和执行关键代码和应用。

手机厂商只需要在电路板上安装这一颗芯片,就可以得到256MB内存,256MB高速SLC闪存和16GB MLC闪存,相比之前的多芯片方案最高可节约40%的空间,方便设计出体积小巧,同时性能、功能仍十分强大的新款手机产品。

美光表示该16GB MCP方案已经开始向包括华硕在内的几家手机厂商提供样品,本季度内投入量产。同时,4GB、8GB等容量稍小的堆叠封装产品则已经开始量产。

美光34nm八芯片堆叠封装16GB闪存出样

 

文章纠错

  • 好文点赞
  • 水文反对

此文章为快科技原创文章,快科技网站保留文章图片及文字内容版权,如需转载此文章请注明出处:快科技

观点发布 网站评论、账号管理说明
热门评论
查看全部评论
相关报道

最热文章排行查看排行详情

邮件订阅

评论0 | 点赞0| 分享0 | 收藏0