IBM、GlobalFoundries(原AMD)、特许半导体、英飞凌、三星电子、意法半导体等组成的IBM技术联盟宣布，已经完成28nm、高K金属栅极(HKMG)、低功耗Bulk CMOS半导体工艺的定义，并进行联合研发。
28nm低功耗技术评估工具包已经在去年12月提供给初期体验客户，并在今年3月向整个市场开放。预计新工艺的初期试验性投产将于2010年下半年开始。
HKMG是Intel在其45nm工艺中率先引入的新技术，IBM联盟在先行开发的32nm工艺中也应用了类似的技术，并将在28nm工艺中继续，而且工艺迁移无需完全重新设计。
IBM表示，初期试验结果显示，28nm工艺比45nm能让芯片核心面积缩小一半，同时带来40％的性能提升和超过20％的功耗降低。基于28nm工艺的SRAM单元只有0.120平方微米，是业界迄今为止最小的。
GlobalFoundries制造系统与技术副总裁Tom Sonderman日前在接受媒体采访时透露，未来将在AMD ATI显卡上应用32/28nm工艺。
另外ARM与通用平台联盟(IBM/特许/三星)在2008年9月底宣布就32/28nm工艺SoC片上系统平台的开发达成合作协议，第一个成果就是今年2月移动世界大会上宣布的ARM Cortex处理器，该芯片使用的制造工艺正是通用平台32nm HKMG技术。
台湾两大代工巨头也在积极研发28nm工艺，其中台积电计划2010年第一季度上马，联电已经在半年前完成业界第一颗28nm SRAM芯片。
