东芝全球首家出货32nm工艺闪存
  • Skyangeles
  • 2009年04月27日 14:31
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东芝今天宣布,于业界首家开始出货32nm工艺NAND闪存颗粒。其中,全球首颗32nm工艺32Gb(4GB)NAND单芯片样品即日起出货,主流容量16Gb(2GB)颗粒样品将于今年7月推出。

东芝表示,首批32nm NAND闪存将主要用于存储卡和USB存储设备,未来会扩展到嵌入式产品领域。目前,东芝是全球领先的32GB闪存供应商,使用8颗43nm工艺32Gb颗粒堆叠而成。而32nm工艺的应用将进一步提高生产效率,减小芯片体积,适应更高容量,更小巧的掌上产品需求。

东芝的32nm工艺32Gb NAND颗粒将于今年7月开始量产,比原计划提前两个月,16Gb产品则会在今年四季度量产。32nm产品都将在东芝位于日本四日市的工厂内制造。

 东芝SanDisk闪存减产30% 东芝四日工厂

 

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