GlobalFoundries制造系统与技术副总裁Tom Sonderman在Computex 2009的新闻发布会上宣布，位于纽约州的新工厂Fab 2将于今年7月份正式破土动工，并在2011年投产28nm工艺芯片，而现在45nm工艺的良品率也已经非常成熟。
目前位于德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂将在年底全部转向40/45nm，以便为Fab 2如期进军后28nm时代做好准备，比如说2012年上马22nm工艺。
从AMD拆分出来后，作为纯代工厂的GlobalFoundries已经成为台积电的主要竞争对手。在被问及对公司未来展望时，Sonderman只是说GlobalFoundries的目标是抢在Intel之前迈入后45nm时代。从进度安排上看，两年公司都应该会在今年下半年投产32nm，不过GlobalFoundries的大规模量产还要等到明年上半年。
Sonderman还在演讲中提到，Intel虽然在2007年第四季度就已投产45nm工艺，但直到2008年第三季度才达到50％的良品率，而晚了一年投产的AMD在2009年第一季度就完成了这一跨越，只慢了半年。
Tom Sonderman
首先看几块美丽的晶圆：
45nm伊斯坦布尔晶圆
32nm SOI测试芯片晶圆
28nm SRAM Bulk测试晶圆
45nm Athlon II晶圆
下边是GlobalFoundries工厂官方介绍：
位于德国德累斯顿的Fab 1工厂群(原AMD Fab 36/38)
Fab 1由两部分组成，分别负责45nm HP SOI工艺和32nm HP Bulk工艺，后者定于今年晚些时候投产，最大生产能力每月2.5万块晶圆。
美国纽约州萨拉托加县Fab 2工厂设计图
