三星电子公司和Numonyx公司（恒忆半导体，Intel、意法半导体合资闪存企业）今天宣布，双方将合作开发PCM相变存储技术，共同制定相变存储产品的技术规范。
PCM（Phase Change Memory相变存储）是一种被寄予厚望的未来存储技术。其每个存储单元在被加热时呈晶体状表示1，反之则为非晶体表示0。相比NOR和NAND闪存，相变存储的速度更快，堪比RAM，同时功耗更低。它和RAM内存一样，允许逐个bit改变数据，因此可以用于存储程序执行代码。而相比RAM内存，相变存储又拥有非易失性的优势。三星和恒忆表示，PCM未来有望用于手机、移动设备、嵌入式系统以及高端计算产品中。
三星和Intel已在相变存储技术上投入研发多年，在Intel的PCM研发转入合资公司恒忆后，双方的合作也可谓殊途同归。三星和恒忆表示，他们将共同制定PCM相变存储的统一软硬件规范，支持JEDEC的LPDDR2标准，保证双方产品针脚兼容。预计该规范将于年内完成，实际产品在明年上市。
三星相变存储芯片样品
