三星抢先量产40nm工艺2Gb DDR3内存颗粒
  • Skyangeles
  • 2009年07月22日 09:21
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三星公司今天宣布,他们已于业内首家开始使用40nm工艺量产2Gb容量DDR3内存颗粒。

三星表示,相比上代50nm工艺,新的40nm工艺可以将生产效率提升60%。新的40nm 2Gb颗粒可以在1.35V电压下实现1.6Gbps传输率,比上代1Gb颗粒使用双die封装制造的2Gb芯片800Mbps的传输率提升了整整一倍。

三星官方称,新颗粒除了将用于制造16GB、8GB、4GB容量的服务器用RDIMM内存外,还将用于制造台式机标准的UDIMM和笔记本SODIMM内存条,最大容量为单条4GB。从三星公布的照片来看,由于新工艺颗粒外形小巧,内存条单面即可安放超过16颗(图中为18颗)DRAM颗粒,排列方式相当特别。

三星抢先量产40nm工艺2Gb DDR3内存颗粒

 

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