没错，就是Intel刚刚发布的34nm工艺第二代固态硬盘X25-M(下称X25-M G2)。下边我们对比第一代50nm工艺产品(下称X25-M G1)，看看内外部构造和读写性能有何不同。
从外表上看，X25-M G2抛弃了此前的黑白两色方案，改为银色和白色，据说更加环保。
X25-M G2的四周边框上还加装了塑料垫圈(高科技塑料圈)，用于安装在9毫米2.5英寸驱动位，拧下四周的螺丝将其拿掉后可安装在7毫米2.5寸驱动位里。
今天对比的两款X25-M都是160GB容量，但内部构造大为不同。50nm X25-M G1 PCB正反两面各安装了10颗MLC NAND闪存芯片(编号“29F64G08FAMC1”)，单颗容量8GB，而34nm X25-M G2的单颗芯片容量翻番到了16GB(编号“29F16B08JAMD1”)，因此只在正面安装了10颗，背面留空。很显然，一旦Intel和美光联合投资的34nm NAND生产线完全开工，Intel就可以再放上去10颗芯片，推出320GB型号。
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装有控制器的正面大同小异，但X25-M G1在闪存芯片和控制器周围使用的黑胶状物体也不见了，但还不清楚这东西的具体用途，可能是一种保护措施，也可能是辅助散热手段。
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X25-M G2使用了新控制器，编号从“PC29AS21AA0”改为“PC29AS21BA0”，不过物理封装没有任何变化。
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板载缓存变化不小，之前用的是三星16MB 166MHz SDRAM (CAS3)，现在则改成了美光32MB 133MHz SDRAM (CAS3)。很奇怪，容量上去了，速度却下来了。
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控制器是固态硬盘的核心部件，但Intel的一直都是只为自己所用，不像三星、Indilinx那样授权卖给其他厂商。以下就是市面上常见的一些固态硬盘和控制器：
衡量固态硬盘性能的指标一般有四个，随机读取、随机写入、持续读取和持续写入，其中前两项表现在大量小文件(比如4KB)的处理上，后两项则对应大文件处理(比如蓝光电影)。一块优秀的固态硬盘必须在这四方面都表现不俗，但事实上很难，大多都是只有部分指标很好，
本次测试使用的工具是IOMeter，并争取不放过硬盘上的每一个LBA和Page。
持续读取速度：应该是受制于SATA 3Gbps，X25-M G2/G1在这方面表现基本没有差别，看来只能期待SATA 6Gbps尽快普及了。
持续写入速度：这个一直是MLC NAND闪存型的X25-M和(X18-M)系列的软肋，新款提升了7％，但仍远远落后于其他固态硬盘，即使相比西部数据VelociRaptor 300GB也相差甚远。
不过另一方面，SLC NAND闪存型的企业级X25-E 64GB的成绩是最好的。
随机读取速度：Intel固态硬盘在应付小文件随机读写方面得心应手，此番有了10％的提升后，X25-M G2已经超过了X25-E，以58.5MB/s高居第一。对比其他厂商的MLC型固态硬盘，X25-M G2最少也能领先50％。
传统机械硬盘在这个问题上就完全拿不出手了，即使西数VelociRaptor 300GB也只有可怜兮兮的0.68MB/s，相当于X25-M G2的一个零头。
随机读取延迟：和随机读取速度是一脉相承的，X25-M G2再次跃升第一，只有0.2ms，而西数硬盘高达17.3ms，不得不从图表中移除。
随机写入延迟：X25-M G2大幅提升了将近40％，再次超过X25-E，而基于三星或Indilinx控制器的其他固态硬盘完全被甩开。
小结：
第一代50nm X25-M发布之初就给我们留下了深刻的印象，成为固态硬盘领域的一个标杆，现在升级到34nm之后更是有了近乎全面的提升(0-40％)，拉大了与同类产品的距离。唯一遗憾的就是持续写入性能依然太弱，连机械硬盘都赶不上。
当然这里只是理论性能测试，实际应用中根据环境不同估计提升幅度会在0-10％。
