Intel、美光发布3bpc高密度NAND闪存
  • 上方文Q
  • 2009年08月12日 01:35
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Intel、美光联合宣布推出新型MLC NAND闪存芯片,每个单元可存储三比特数据,称之为“3-Bit-Per-Cell”(3bpc)技术。

该技术由双方组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies开发,已经利用34nm工艺生产线制造出目前市场上尺寸最小、性价比最高的32Gb NAND闪存芯片,面积仅为126平方毫米

Intel和美光表示,这种新型芯片最适合用于记忆卡、U盘等消费电子存储设备,因为这些应用场合中最需要考虑的就是高密度和高性价比。

IM Flash计划从今年第四季度开始批量投产这种3bpc MLC NAND闪存芯片,并准备在今年晚些时候推出2xnm新工艺。

Intel、美光发布3-Bit-Per-Cell NAND闪存

 

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