Micron发布高性能Flash芯片
  • EinG
  • 2003年10月09日 12:07
  • 0

Micron宣布了最新的高性能64MB闪存芯片 MT28F644W18。这款芯片专门为移动应用而开发,采用1.8V核心电压。是目前最快的高密度闪存芯片。

带给这种闪存芯片高性能的主要原因就是其特殊的结构,它采用了4Mb多区结构和快速的运算法则。多区的结构可以使其针对不同的应用程序进行编码分割,从而改良功效。

同时,Flash Data Management软件可以使这种闪存更良好的运转和优化其性能。

目前,这款64MB的样品闪存采用了4x16的结构采用 FBGA 封装。以后将会有32、64和128Mb的产品。

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