台积电谈40nm、28nm工艺 展望22nm
  • 上方文Q
  • 2010年02月25日 11:05
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在日本横滨举行的台积电日本高管论坛上,台积电研发部门高级副总裁蒋尚义谈及了多个热门话题,包括40nm和28nm工艺、产能和良品率问题、高K材料技术、未来的22nm工艺等等。

1、40nm工艺产能

蒋尚义表示,40nm工艺上马初期客户需求量就非常高,远远超过了此前世代工艺,因此在产能上很难及时满足。

目前台积电Fab 12工厂每月能够生产大约8万块40nm工艺300毫米晶圆,Fab 14工厂也会很快加入其中,预计到今年底的时候两座工厂的总产能会达到16万块

2、40nm工艺良品率

蒋尚义称,40nm工艺遭遇的良品率已经在去年下半年彻底解决,正在迅速扩充产能以满足客户需求。

他指出,转向45/40nm碰到的挑战是前所未有的,比如这是台积电第一次使用193nm沉浸式光刻技术,出现缺陷的几率更高。开始的时候台积电使用的是第二代低K材料,K值为2.5,这时候材料非常脆弱,不过台积电也已经开始了第三代的研发。

3、28nm工艺

台积电28nm工艺的第一个版本是低功耗的28nm LP,引入了多晶硅栅和二氧化硅硝酸盐,将于今年六月底投产。

4、高K金属栅极

高性能版本的28nm HP工艺才会第一次引入高K金属栅极(HKMG)技术预计今年九月份投产,之后十二月增加28nm HPL,同样有HKMG。

5、22nm工艺

28nm之后台积电计划进军到22nm工艺,时间间隔大概是两年,所以,首次投产应该会在2012年第三季度前后,但初期只有高性能版本2013年第一季度末增加低功耗版本

对于22nm和再往后的20nm,台积电将引入新的生产模型,首现就是第二代HKMG技术

6、光刻技术

台积电会继续使用193nm沉浸式光刻,如果超远紫外线(EUV)或者多重电子束直接写入技术能够更成熟、成本更低,台积电会考虑引入。

蒋尚义透露,新技术成本相当高,比如单单一套EUV设备就需要8000万美元左右

 

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