Intel今天宣布在芯片研发技术上取得突破,Intel表示已经完成High-K(高电介质)金属门电路晶体管技术的研发,和目前CMOS晶体管相比,High-K(高电介质)金属门电路晶体管的容量提升60%,因此High-K(高电介质)金属门电路晶体管转换速度更快,另外,High-K(高电介质)金属门电路晶体管功耗泄漏状况比传统的CMOS晶体管降低100倍,采用High-K(高电介质)金属门电路晶体管的处理器,在性能和发热量方面比目前处理器将有大幅度提升。
Intel今天宣布在芯片研发技术上取得突破,Intel表示已经完成High-K(高电介质)金属门电路晶体管技术的研发,和目前CMOS晶体管相比,High-K(高电介质)金属门电路晶体管的容量提升60%,因此High-K(高电介质)金属门电路晶体管转换速度更快,另外,High-K(高电介质)金属门电路晶体管功耗泄漏状况比传统的CMOS晶体管降低100倍,采用High-K(高电介质)金属门电路晶体管的处理器,在性能和发热量方面比目前处理器将有大幅度提升。