Intel芯片技术取得突破,高电介质晶体管提升处理器速度
  • P兔毛毛
  • 2003年11月05日 11:20
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Intel今天宣布在芯片研发技术上取得突破,Intel表示已经完成High­-K(高电介质)金属门电路晶体管技术的研发,和目前CMOS晶体管相比,High­-K(高电介质)金属门电路晶体管的容量提升60%,因此High­-K(高电介质)金属门电路晶体管转换速度更快,另外,High­-K(高电介质)金属门电路晶体管功耗泄漏状况比传统的CMOS晶体管降低100倍,采用High­-K(高电介质)金属门电路晶体管的处理器,在性能和发热量方面比目前处理器将有大幅度提升。

Intel芯片技术取得突破,高电介质晶体管提升处理器速度

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