三星电子宣布，旗下代工厂的32nm低功耗工艺和高K金属栅极(HKMG)技术已经通过验收，并宣称自己是第一家做到这一点的代工厂。
三星在旗下三星代工(Samsung Foundry)位于韩国龙仁市的300毫米晶圆厂内完成了新工艺和新技术的可靠性测试，并做好了客户设计投产准备。三星执行副总裁兼系统LSI部门总经理禹南星博士(Dr. Stephen Woo)透露说，32nm HKMG工艺晶圆将在明年的某个时候开始出货，“希望是明年初期”。
三星32nm低功耗高K技术是和IBM领导的晶圆厂俱乐部其他成员共同完成的，不过禹南星表示三星在新技术的商业化方面走在了前列，同时他也指出，俱乐部的另一位成员GlobalFoundries已经准备跳过32nm代工节点，直奔28nm工艺。
高级芯片组造商都希望能尽快部署高K电介质技术，但该技术难度相当高，大多厂商都未能成功实现，只有Intel已经连续出货了基于HKMG技术的45nm、32nm处理器。全球头号代工厂台积电预计九月份推出高性能HKMG技术，并希望到年底的时候能够提供带有HKMG技术的高性能和低功耗28nm工艺。
在高K技术的实现上，三星、Intel分别使用了前栅极(gate-first)和后栅极(gate-last)两种新一代栅极堆栈方法，其中前者是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的退火工步完成之前便生成金属栅极，后者正好相反。
禹南星保证说，三星会在32nm和28nm工艺节点上使用gate-first方法，但之后就存在各种可能性了。
