东芝公司今天发布了容量达到128GB的嵌入式NAND闪存模块产品,创下了全球嵌入式闪存容量的新纪录。该闪存模块符合最新eMMC标准,主要面向智能手机、平板机、数码相机等消费电子产品。
该闪存颗粒采用堆叠式封装技术,将16颗32nm工艺64Gbit(8GB)闪存芯片以及一颗控制器芯片,共17层封装在同一颗粒中,尺寸仅有17x22x1.4mm。东芝也是全球第一家实现16层64Gbit闪存堆叠封装的厂商。
该颗粒采用153Ball FBGA封装,核心电压2.7V到3.6V,接口电压1.65V到1.95V/2.7V到3.6V。最高读取速度55MB/s,写入速度21MB/s,总线宽度x1/x4/x8。
除128GB容量版本外,东芝还会同时提供64GB版本。64GB版8月份出货样品,128GB版样品9月上市,今年四季度实现量产。