在半导体产业盛会Semicon West 2010上，GlobalFoundries公布了该公司推动极紫外(EUV)光刻技术投入量产的一些规划细节。按照这份计划书，GF将在2014-2015年左右将极紫外光刻技术推向商用，届时半导体制造工艺也会进化到22nm和20nm。不幸的是，AMD并不会欢迎这种消息。
GF技术研发高级副总裁Gregg Bartlett在会上发表主题演讲时称：“我们的策略是跳过预产设备阶段，直接购买量产级别设备，并安装在位于纽约州的在建高级新工厂Fab 8。我们计划于2012年下半年安装这种(极紫外光刻)设备，然后立即开始研发工作，确保2014-2015年间开始批量生产。我们在研发上采取了合作策略，因此能够做出这样的行动，从而加速为整个产业批量生产(极紫外光刻芯片)。”——显然，这里所谓的合作来自IBM领导的晶圆厂俱乐部。
他解释说：“我们可以把从沉浸式(光刻)中得到的经验应用于极紫外光刻。从我们的角度说，沉浸式光刻能够到达22/20nm工艺节点，但是会带来严峻的成本挑战，并增加复杂性。我们需要另外一种方案，而我们看来极紫外光刻是最有希望的。”
“我们是EUV LLC(极紫外光刻有限责任公司)的初创成员之一，而且我们的研究人员也参与了极紫外光刻的几个重要里程碑，包括首款全场极紫外测试芯片的生产。我们承诺将会继续维持这种领先地位，推动整个产业走向极紫外光刻的量产。”
GF Fab 8工厂计划于2012年投入运营，初期生产28nm工艺芯片，然后转向22nm，但是时间上恐怕至少要等到2014年了。相比之下，Intel打算在2011年下半年就进军22nm，量产最晚时间也不过2012年上半年。
不过Intel虽然也一直在深入研究极紫外光刻技术，但是短期内并不打算真正使用它，这样一来GF虽然进度上会落后很多，但是一旦成功就能在技术大大领先，只是对AMD等代工客户来说就麻烦大了——AMD平均每两年就需要新的处理器和显卡芯片制造工艺，最晚2013年的时候应该就要用到22/20nm，但现在看来2011-2014年间AMD只能依靠32/28nm来维持了。
