索尼公司今天宣布,他们同日本东北大学合作,已经成功开发出了一套超高速脉冲半导体蓝紫激光系统,峰值功率高达100W,是目前同类系统的百倍以上。
该系统包括一颗基于GaN(氮化镓)的锁模半导体激光器以及一个半导体光学放大器系统,可发射波长405纳米的蓝紫激光,脉冲频率1GHz。其每次发射时间仅为3皮秒(百亿分之三秒),但在这一瞬间的功率可达到100W,是目前世界上其他半导体蓝紫激光脉冲激光器功率的100倍以上。
该激光器未来有望用于新一代的超大容量光存储系统中。索尼已经成功进行了测试,使用它在塑料盘基上打出了间隔3微米,直径约300纳米的数据点,随后又成功进行了读取。
蓝紫激光脉冲光束
放大器和激光器