东芝开始量产24nm工艺NAND闪存
  • 上方文Q
  • 2010年08月31日 15:15
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东芝公司今天宣布,即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片,这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。

东芝透露,24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLC NAND闪存芯片,单颗容量64Gb(8GB),今后还会使用同样工艺制造32Gb(4GB)容量和3bpc规格的闪存芯片。

东芝表示,新工艺将进一步减小芯片尺寸、提高生产效率,同时还支持Toggle DDR接口规范,有助于增强数据传输速度。

在此之前,Intel、美光合资的IM Flash已经开始批量生产25nm工艺NAND闪存芯片并试产了3bps规格芯片

东芝开始量产24nm工艺NAND闪存

 

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