经过日前的首发巡礼之后，相信大家已经对GeForce GTX 580的表现有了充足的认识，不过那还只是单独一块卡的成绩。权威硬件评测网站AnandTech今天又利用新到手的华硕ENGTX580进行了双卡SLI的性能考察，并且还特意降低了GTX 580的频率，看看它在与GTX 480同等级的情况下速度能提升多少。
| 华硕ENGTX580 | GTX 580 | GTX 480 | GTX 460 1GB | |
| 流处理器 | 512 | 512 | 480 | 336 |
| 纹理寻址/过滤单元 | 64/64 | 64/64 | 60/60 | 56/56 |
| ROP单元 | 48 | 48 | 48 | 32 |
| 核心频率 | 782MHz | 772MHz | 700MHz | 675MHz |
| 流处理器频率 | 1564MHz | 1544MHz | 1401MHz | 1350MHz |
| 等效显存频率 | 4008MHz GDDR5 | 4008MHz GDDR5 | 3696MHz GDDR5 | 3600MHz GDDR5 |
| 显存位宽 | 384-bit | 384-bit | 384-bit | 256-bit |
| 显存容量 | 1.5GB | 1.5GB | 1.5GB | 1GB |
| FP64 | 1/8 FP32 | 1/8 FP32 | 1/8 FP32 | 1/12 FP32 |
| 核心代号 | GF110 | GF110 | GF100 | GF104 |
| 晶体管数量 | 30亿 | 30亿 | 30亿 | 19.5亿 |
| 制造工艺 | 台积电40nm | 台积电40nm | 台积电40nm | 台积电40nm |
| 价位 | ~$510 | $499 | ~$420 | ~$190 |
一、不同的电压
因为是首发产品，华硕ENGTX580几乎完全拷贝了公版设计，PCB和散热器都一模一样，唯一的区别就是核心频率提高了10MHz。这种象征性的超频几乎可以忽略不计，但在电压方面就不一样了。
GeForce 400/500系列的VID核心电压已经不是单独的一个，而是改为一个系列，所以每块卡的世纪电压值、功耗、噪音、温度指标都会略有差异。以手中的样品为例，GTX 480的公版负载电压为0.959V，GTX 580则提高到了1.037V，有力地证明了NVIDIA已经很好地控制了核心的漏电问题，华硕ENGTX580则是“非常精准的”1.000V。
很自然地，不同的负载电压必然会带来不同的功耗、温度和噪音，所以先来简单看看这方面的情况。
《Crysis》、Furmark中功耗分别降低了20W、26W，非常接近Radeon HD 6850 CrossFire。
但是功耗降低的同时，核心温度却增加了2℃，噪音也提高了1.3dbA。猜测可能是华硕在BIOS方面做了特别调整。
