内存调研公司集邦科技今天发布最新监测数据称，曾经在上半年疯狂涨至46.50美元的2GB DDR3内存期货价现在已经下降到了30美元。集邦科技预计，该容量内存价格将在明年一季度或二季度跌至谷底，然后在重新回涨。
集邦科技分析称，由于越来越多的厂商在其高级制程工艺中使用了较为先进的沉浸式扫描仪，这使得全球DRAM产能在进入四季度以来连续增长，然而市场需求却没有跟上供应量的快速上涨，导致DRAM价格下降。集邦科技认为，2GB DDR3内存价格可能会在年底时下降到20美元，相比三季度时的价格下降30%。
鉴于内存价格连续下降，不少厂商都已经注意调整明年用于DRAM产能的资金预算。三星就很有可能根据市场条件调整其Line-16工厂的产能，他们在5月份时宣布新建内存芯片生产线，明年投产。
不只是三星，台湾力晶近期也宣布削减投资预算20%至160亿元新台币，瑞晶电子也打算推迟建设第二座内存芯片工厂。
然而集邦科技指出，先进工艺的使用仍旧会使明年的DRAM产能提升50%。三星35nm工艺芯片的比例到今年下半年或明年时将达到50%，海力士、美光和尔必达也计划在明年二季度末迈向30nm级工艺。
随着DRAM芯片价格的不断下降，集邦科技认为越来越多的OEM厂商会提升自己产品的存储容量，明年每台台式机、笔记本的平均DRAM容量将达到4.22GB和4GB。
