已经抛弃内存产品线，全心投入固态硬盘市场的OCZ今天正式发布了新款PCI-E接口固态硬盘Z-Drive R3，主要针对企业级市场。该硬盘最早于月初的CES 2011上进行展示，除了夸张的性能表现外，还是首款使用OCZ独创VCA（Virtualized Controller Architecture虚拟化控制器架构）技术的产品。
通常情况下，企业用户或极限玩家为了追求高存储性能，都要使用RAID卡并联多块固态硬盘，市场上几乎所有的PCI-E固态硬盘产品也都是类似原理，即由一颗RAID控制器对应多颗闪存控制芯片的内部RAID方案。而无论RAID卡还是内部RAID方案都存在不少的限制，比如无法在RAID阵列内支持TRIM，以及RAID控制器造成的读写性能、延迟瓶颈等。
OCZ自行开发的VCA虚拟化控制器架构技术正是固态硬盘时代的RAID替代者。它通过使用I/O物理接口、存储专用处理器、附加逻辑芯片以及2颗或以上的NAND闪存主控芯片，构建一个VCA堆栈，相当于创造出一个“虚拟化超级闪存控制器”。这一虚拟控制器将可直接控制多颗主控芯片下的闪存，突破单个控制器的容量、性能限制，并且仍然可以支持TRIM、SMART监控、NCQ、TCQ、掉电保护、负载均衡等功能特性。除PCI-E固态硬盘外，该方案未来还将用于SATA、SAS、FC、HSDL接口产品中。
首款采用该技术的Z-Drive R3基于PCI-E 2.0 x8接口，半高设计方便在1U机架式服务器中安装，VCA架构下可用两颗或四颗SandForce闪存控制器，300GB、600GB或1.2TB容量MLC闪存，读取速度1GB/s，写入速度970MB/s，4K随机写入135000IOPS，板载大容量电容支持掉电保护，平均无故障工作时间高达1000万小时。
该卡尺寸为169.55x79.19x19.24mm，重139g。除目前的SandForce MLC方案外，还将推出SLC、eMLC闪存方案产品，以及4K随机写入25万IOPS的全高版本。
