nVIDIA今天宣布，它将是第一个采用TSMC 0.11微米制造工艺的芯片厂商。nVIDIA将会结合TSMC的0.11微米制造工艺来生产自己最新的工程设计，到时候将带来最新的高性能低功耗的显示芯片。
TSMC的0.11微米制造工艺基本上是其0.13微米工艺的升级，它还是将使用FSG电介体，相对于0.13微米制造工艺0.11微米工艺将会带来更高的运行速度、晶体管的增加和耗电量的降低，但是FSG工艺将不会改变。
TSMC早在2002年就开始了0.11微米工艺的开发，制造2003年12月工艺才达到可靠的标准。目前，设计规则、设计指导方针、SPICE和静态储存器都已经完成开发。预计到明年第一季度基于0.11微米工艺的产品将会进入市场。
Update By Rookie:
AH?IBM在哪里？;)
Santa Clara, CA 和Hsin-Chu, Taiwan – 2004.2.24，Nvidia Corporation (Nasdaq: NVDA)日前已经成为最早利用TSMC 0.11um工艺制造未来GPU的半导体公司之一。 Nvidia将结合TSMC .11微米工艺
和自身的创新工程设计，提供高性能和低功耗的图形处理器。
NVIDIA运营部副总裁Di Ma说:"迈向新工艺的决定强化了TSMC和NVIDIA的长期关系。这个新工艺以及众多架构提高，将保证我们继续提供产品，来允许终端用户和一系列数字设备互动。我们期待新工艺能带来新的机会。"
TSMC全球营销高级副总裁Kenneth Kin说:"TSMC承诺并期待和Nvidia开始创新的合作，通过这些关系，我们将为客户创造新的机会提供技术平台。 "
TSMC的.11um工艺是其业界领先的.13工艺的再次改进，该工艺通过使用FSG电介质，可以提供高性能和通用版本版本。尽管实际结果和设计无关，但是TSMC的.11um高性能工艺可以增加晶体管数目，提高速度，减少功耗。
TSMC在2002年开始.11um高性能技术开发，2003年12月.11um工艺产品合格。.11um通用技术估计在明年第一季度试产。
