ONFI 3.0标准发布 NAND闪存接口速度翻番达400MB/s
  • 上方文Q
  • 2011年03月17日 10:50
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开放式NAND闪存接口(ONFI)工作组今天公布了新版标准规范ONFI 3.0,通过使用非易失性DDR2接口(NV-DDR2),NAND闪存接口的传输速度得以翻番达到400MB/s(或者说400MT/s),同时继续保持向下兼容。

ONFI 3.0标准详细规定了NAND闪存的最新接口、基础架构定义。接口速度翻一番之后,NAND闪存控制器今后只需要一半数量的通道就能获得同样的性能,从而大大节约成本和产品体积,特别有利于固态硬盘的推广和普及。

新标准增加了差分信号技术,可控制电压拨动、节省功耗,并且内核选择(die selection)技术,能够减少芯片选通(chip enable)所需要的针脚数量,进而减少控制器的针脚数,提高PCB布线效率。这同样有助于固态硬盘降低成本,同时还能让更多针脚分配给其他系统任务。

ONFI 3.0今后还将加入ECC Zero (EZ-NAND)接口,免去主控制器疲于应付NAND技术ECC错误校验快速变化的负担。

ONFI工作组成立于2006年5月,致力于简化NAND闪存在消费电子应用和计算平台中的集成和普及,其中创始企业包括海力士、Intel、美光、群联电子(Phison)、SanDisk、索尼、Spansion等等,目前已经发展了100多名成员,包括威刚、祥硕、宇瞻、AMD、富士康、日立、LSI、Marvell、NVIDIA、SandForce、希捷、Super Talent、创见、西部数据、华邦等等。

ONFI 3.0标准规范全文: http://onfi.org/specifications/

ONFI 3.0标准发布 NAND闪存接口速度翻番达400MB/s ONFI标准发展史

ONFI 3.0标准发布 NAND闪存接口速度翻番达400MB/s ONFI标准版本特性对比

 

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